EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
TaC-húðað porous grafít
TaC-húðað porous grafít frá Semixlab býður upp á háþróaða efnislausn sem er sniðin að hálfleiðara- og kristalræktariðnaði. Með því að sameina þol og gegndræpi porous grafíts við háan hita og afar hörð og tæringarþolin eiginleika tantalkarbíðs (TaC) sem notað er í CVD-vinnslu tryggir þetta samsetta efni óviðjafnanlega endingu og hreinleika í erfiðu vinnsluumhverfi.
Lýsing
Tantalkarbíð (TaC) húðaður porous grafíthringur frá Semixlab (tantalkarbíð húðaður porous grafíthringur) er afkastamikill grafítþáttur sem er sérstaklega hannaður fyrir vöxt kísilkarbíðs (SiC) einkristalla. Þessi vara er úr mjög hreinu porous grafít undirlagi og húðuð með háhitaþolnu og tæringarþolnu tantalkarbíð (TaC) húðun á yfirborðinu. Hann hefur framúrskarandi hitaáfallsþol, efnastöðugleika og langan líftíma og er lykilnotkunarefni í SiC einkristalla vaxtarofni (PVT aðferð).
Product Features
1. Hreint porous grafít undirlag
Notað er ísóstatískt grafít með mjög mikilli hreinleika (≥99.9999%) og stýranlegri gegndræpi, sem tryggir góða hitauppstreymi og gasgegndræpi og hámarkar vaxtarumhverfi SiC einkristalla.
Lágt öskuinnihald og lítil óhreinindi, sem dregur úr hættu á mengun við kristallavöxt.
2. Tantalkarbíð (TaC) húðunarvörn
TaC húðun hefur afar hátt bræðslumark (~3880℃) og framúrskarandi efnafræðilega óvirkni, sem kemur í veg fyrir að grafít hvarfast við Si/C gufu við hátt hitastig og dregur úr losun grafít agna sem menga kristallana.
Húðunin er þétt og einsleit, sem eykur verulega oxunarþol og tæringarþol grafíthringsins og lengir endingartíma hans.
3. Framúrskarandi hitastöðugleiki
Það hefur lágan varmaþenslustuðul og sterka hitaáfallsþol, sem gerir það hentugt fyrir hraða hitastigshækkun og -lækkun við vaxtarferli SiC einkristalla (yfir 2000 ℃).
Mikil varmaleiðni tryggir jafna dreifingu varmasviðs og bætir gæði kristallavaxtar.
4. Sérsniðin hönnun
Hægt er að aðlaga porustærð, porosity, vídd grafíthringsins og þykkt TaC húðarinnar eftir kröfum viðskiptavina til að aðlagast mismunandi gerðum af SiC kristalvaxtarofnum (eins og spanhitun eða viðnámshitun).
Stutt smáatriði:
Gælunöfn: Porous grafít, TaC húðaður porous grafíthringur, grafíthringur, Tantal karbíð húðaður porous grafíthringur, porous grafíthringur fyrir SiC kristalvöxt
Tilgangur: Tryggja stöðuga útfellingu hágæða filmu í PECVD ferlinu, en um leið hámarka framleiðsluhagkvæmni búnaðarins og afköst skífna.
Kjarnabreytur: Götnun: 10%-30%, húðunarefni: TaC húðun, húðunarþykkt: 30±5um, hámarksnotkunarhitastig: 2200℃ (óvirkt/lofttæmisumhverfi), hreinleiki ≥99.9999%, varmaþenslustuðull ≤5×10⁻⁶/K (stofuhiti - 2000℃)
upplýsingar
Tæknilegar breytur
| Götótt grafít | 10%-30% |
| Húðuefni | Tantalkarbíð (TaC) |
| Húðun þykkt | 30-50um (sérsniðin) |
| Hámarks hitastig | 2200 ℃ (óvirkt/lofttæmisumhverfi) |
| Hreinleiki | ≥ 99.9999% |
| Stuðull hitauppstreymis | ≤5 × 10⁻⁶/K (stofuhitastig upp í 2000 ℃) |
Umsóknir
Umsókn aðstæður
● SiC einkristallavöxtur (PVT aðferð): Sem deigluþáttur eða hitasviðsþáttur er hann notaður til sublimunar og kristalútfellingar SiC hráefna í háhitaumhverfi.
● Undirbúningur annarra háhitahálfleiðaraefna: svo sem kristallavaxtarferli fyrir hálfleiðara með breitt bandbil eins og GaN og AlN.
Samkeppnisforskot
● Langur endingartími:
TaC húðun dregur verulega úr grafíttapi, lækkar tíðni skipti og sparar kostnað.
● Hágæða kristal:
Minnka agnamengun og auka hreinleika og kristallaheilleika SiC einkristalla.
● Áreiðanleg framboð:
Strangt gæðaeftirlitskerfi tryggir samræmi í lotum og styður við kröfur um stórfellda framleiðslu.
● Þjónustustuðningur:
Veita tæknilega ráðgjöf, hagræðingu á hönnun varmasviða og þjónustu eftir sölu.
Styðjið óhefðbundna sérstillingu til að uppfylla sérstakar kröfur um ferli.
● Viðeigandi viðskiptavinir:
Framleiðendur SiC undirlags, framleiðendur hálfleiðarabúnaðar, rannsóknarstofnanir o.s.frv.
Fyrir frekari upplýsingar eða sýnishorn, vinsamlegast hafið samband við okkur!
Þjónusta okkar
Vöruverslun Semixlab
