CVD Tantalkarbíð (TaC) húðun

TaC-húðun er venjulega íhuguð þegar SiC byrjar að ná takmörkum sínum. Þetta gerist oftar í SiC-epitaxíu eða kristalvexti, þar sem bæði hitastig og vinnsluandrúmsloft eru meira krefjandi.

Með mun hærra bræðslumark þolir TaC lengri útsetningu fyrir háum hita betur, sérstaklega í umhverfi með vetni eða HCl. Í reynd skiptir þetta máli í ferlum eins og PVT-vexti, þar sem hitastöðugleiki hefur bein áhrif á gæði kristalla.

Dæmigert notkunarsvið eru flæðisleiðarhringir, fræhaldarar, hlutar tengdir deiglum og aðrar mannvirki innan varmasviðsins. Þessir íhlutir eru útsettir fyrir erfiðum aðstæðum í langan tíma, þannig að það er mikilvægt að draga úr niðurbroti. Í sumum uppsetningum er TaC smám saman að koma í stað eldri efna eins og pBN og jafnvel sumra SiC-húðaðra hluta, þó það fari enn eftir kostnaði og hönnun ferlisins.