Fókushringur úr solidum CVD kísillkarbíði

Af hverju að velja fast SiC í stað kísils eða húðaðs grafíts?

Ef þú hefur keyrt hefðbundinn sílikonfókushring fyrir nokkur þúsund skífur, hefur þú líklega séð brúnhraðadrift - það er kísillinn sem rofnar. Með tímanum missir hringurinn efni, plasmamörkin færast til og etsunarferlið breytist. Þú getur bætt upp fyrir það með því að fínstilla afl eða þrýsting, en að lokum ertu að elta hreyfanlegt skotmark.

Fast CVD SiC leysir þetta. Það rofnar á broti af hraðanum – yfirleitt 10-20 sinnum hægar en hágæða sílikon í árásargjarnum Bosch- eða oxíðetsferlum. Og þar sem þetta er efni úr einu stykki (ekki húðun á grafíti) er engin hætta á eyðingu eða örsprungum eftir endurteknar hitameðferðir. Þú færð stöðuga rúmfræði sem heldur vídd sinni í marga mánuði, ekki vikur.

Þessi stöðugleiki þýðir beint:

Færri frávik í ferlinu – þú getur haldið uppskriftarbreytunum óbreyttum lengur.

Lægri agnafjöldi – engin flögnun á húðinni, engin flagnamyndun.

Sjaldnar opnar hólfið – viðhaldstímabil lengjast, sem eykur notkunartíma verkfærisins.

Samræmd geisladiskur og snið á brún skífunnar – sérstaklega mikilvægt fyrir 3D NAND, DRAM og háþróaða rökfræði.

Hvað við byggjum inn í hvern hring?

Hreinleiki sem þú getur treyst. CVD-ferlið okkar framleiðir β-SiC með heildarmálmóhreinindum undir 0.1 ppm – það er 99.99999% hreinleiki á góðum degi. Fyrir viðkvæm lög eins og hliðoxíð eða rafskaut með háu k-innihaldi skiptir þetta hreinleikastig máli.

Plasmaþol sem endist. Hvort sem þú notar SF₆/O₂ fyrir djúpetsun kísils, C₄F₈/Ar fyrir oxíð eða Cl₂/BCl₃ fyrir málma og efnasambönd úr hálfleiðurum, þá helst SiC yfirborðið óbreytt. Við höfum séð hringi lifa af í yfir 50,000 RF klukkustundir í framleiðslu án sýnilegrar rofs.

Varmaleiðni sem jafnar út heita bletti. Með >150 W/m·K dreifir fast SiC hita mun betur en kvars eða áloxíð. Það þýðir að hringurinn helst kaldur undir öflugu plasma og varmaþensla helst jöfn – þannig að bilið milli hrings og skífu breytist ekki þegar hólfið hitnar.

Einhúðuð uppbygging án veikleika. Húðað grafít getur verið frábært fyrir sumar notkunarmöguleika, en þegar þú þarft algjöra áreiðanleika við miklar hitasveiflur er CVD SiC öruggari kosturinn. Engin viðmót, engin ósamræmi í CTE, engar faldar sprungur.

Nákvæm vinnslu allt niður í míkron. Við CNC-slípum hvern hring til að passa við upprunalega vasastærðir – dæmigerð vikmörk eru ±0.02 mm á ytri/innri þvermáli, með flatneskju betri en 10 µm. Ef þú þarft sérstaka affasningu, stiglaga snið eða sérsniðna þykkt, getum við aðlagað það út frá teikningunni þinni.

Hvernig við búum þau til – Frá hjarta- og æðasjúkdómum til stofu þinnar

CVD vöxtur – Við setjum SiC á fórnarundirlag og aðskiljum síðan frístandandi efnið. Ferlið keyrir undir ströngu stýrðu hitastigi og gashlutföllum til að ná réttri steikíómetríu og kornabyggingu.

Glóðun – Léttir á öllu eftirstandandi spennu, þannig að hringurinn mun ekki afmyndast við hraðar hitastigsbreytingar í etsaranum.

Demantsslípun – Við notum fjölása CNC vélar með demantshjólum til að skera hringinn í lokastærðir.

Slípun og pússun – Yfirborðið er fínpússað í Ra < 0.2 µm, sem dregur úr viðloðun agna og bætir snertingu við spennuhylkið.

Þrif – Ómskoðunarbað með afjónuðu vatni og mildu þvottaefni, síðan IPA-skolun og köfnunarefnisþurrkun.

Skoðun – Hver hringur fer í gegnum CMM, grófleikaprófíl og 100% sjónræna skoðun undir björtu ljósi.

Umbúðir – Einlags pökkun í hreinrými, síðan lofttæmdar ytri umbúðir, tilbúnar til móttöku í verksmiðjunni.

Gæðaeftirlit – Við sleppum engu

Hver sending inniheldur efnisprófunarskýrslu (með GDMS gögnum), víddarskoðunarblað, skrá yfir yfirborðsgrófleika og hreinlætisvottorð (agnafjöldi á fermetra). Við geymum einnig sýni úr hverri lotu til að fylgjast með áreiðanleika til lengri tíma litið.

Af hverju velur Fabs Semixlab?

Við erum teymi sem talar mál – ekki bara sölufólk, heldur einnig ferlisverkfræðingar sem hafa unnið inni í verksmiðjum. Við vitum að fókushringur er ekki vara; það er hluti sem hefur bein áhrif á afköst þín. Við höldum afhendingartíma okkar stuttum (2-3 vikur fyrir staðlaðar stærðir), við tölum skýrt um sendingar og tolla og við stöndum á bak við hvern hring með fullri rekjanleika. Ef þú þarft breytingar – til dæmis aðra brúnaradíus eða sérstakt gat fyrir gasflæði – getum við venjulega komið til móts við það án langs þróunarferlis.

Stuttar upplýsingar – Það sem þú færð

Hvar eru þessir hringir notaðir?

Þú finnur solid SiC fókushringina okkar í:

HAR-etsun (high-aspect-ratio) fyrir 3D NAND og DRAM – þar sem hlutfallið nær 100:1 og einsleitni brúna ræður úrslitum.

Rökfræðiframleiðsla frá 28 nm niður í 3 nm – sérstaklega fyrir hlið- og bilsetsun.

Framleiðsla á SiC aflgjafa – þar sem hringurinn sjálfur er úr SiC, mengar hann ekki erlenda málma.

GaN HEMT vinnsla – þar sem plasmastöðugleiki og lágur gallaþéttleiki eru í fyrirrúmi.

MEMS og djúpkísiletsun (Bosch-aðferð) – hringurinn sér um til skiptis SF₆ og C₄F₈ hringrásina án þess að skemmast.

Ítarleg pökkun – t.d. TSV ets fyrir 2.5D/3D samþættingu.

Við framleiðum hringi sem eru samhæfðir Lam Research, Applied Materials, TEL og öðrum helstu etsunarpöllum – og við getum ekki aðeins aðlagað stærðirnar heldur einnig rafsvörunareiginleikana (við getum aðlagað viðnám ef þörf krefur fyrir RF-tengingu).